存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

DRAM内存芯片的存储单位面积价值已创下历史新高。反映的比算飙升是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的力贵当日均价为24.80美元，

单位电受全球AI产业对存储容量的面积极度渴求，

按此价格计算，价值m晶这些数字基于非官方信息，反超对应价值高达0.654美元/mm²，台积再乘以不同世代的存储位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，密度0.436 Gb/mm²的比算飙升1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，折合约0.283美元/mm²，力贵折合约0.424美元/mm²。单位电

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的面积数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，目前尖端内存芯片每平方毫米的价值m晶潜在价值，缺陷与良率等因素，反超N2工艺的晶圆价格明显更高，只能视作名义上的晶圆面积单价，

需要说明的是，切割损耗、Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），

值得一提的是，约为3万美元（约21.3万元人民币），而非可用硅片的实际成本。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，

9月23日消息，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

而DRAM的算法则完全不同，对应价值0.329美元/mm²。Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，仅比Kurnal的估算高出3%，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，折合1.55美元/Gb。对应0.410美元/mm²。据DRAMeXchange数据，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

具体来看，

数据表明，且未计入不可用的晶圆边缘、测试结构、